ZnO-Kristall-Substrate

Beschreibung Zinkoxid (ZnO) kann als Einkristall-Halbleiter mit sehr interessanten Eigenschaften gezüchtet werden. Die Bandlücke ist in der 3.4 eV-Baureihe, die es für viele der blauen und violetten Anwendungen in der Optoelektronik sowie UV-Geräte attraktiv macht. Es ist in Bulks, in Wafern ...

Product Details

Beschreibung

Zinkoxid (ZnO) Einkristalle wurden nach dem hydrothermalen Verfahren unter Verwendung eines Platininnenbehälters gezüchtet. Die aus diesen Massenkristallen erhaltenen 2-Zoll-ZnO-Wafer besitzen eine extrem hohe Kristallinität und Reinheit. Der elektrische Widerstand ist über den gesamten Waferbereich sehr gleichmäßig. Nach dem Glühen wurde die Stufen- und Terrassenstruktur auf der Oberfläche des Wafers beobachtet. Die Ätzgrübchendichte wurde auf weniger als 80 cm-2 verringert. Diese Ergebnisse deuten darauf hin, dass diese 2-Zoll-ZnO-Wafer für Anwendungen mit breiten Bandspalt-Geräten geeignet sind. Die Bandlücke ist in der 3.4 eVrange, die es für viele der blauen und violetten Anwendungen in der Optoelektronik sowie UV-Geräte attraktiv macht.

Eigenschaften

Ausgezeichnete kristalline Qualität

Ausgezeichnetes Gitterspiel zu Nitrid

Leicht geätzt für Geräteintegration

Anwendungen

Halbleiterschaltungssubstrat

ZnO LED

ZnO-Film

Hauptspezifikation

Materialien

ZnO

Orientierung

[0 0 0 -1] oder [1 0 -1 0] <± 0,5="">

Parallel

10 "

Aufrecht

5'

Oberflächenqualität

10/5

Wavefront Verzerrung

Λ / 4 bei 632nm

Oberflächenebenheit

Λ / 8 @ 632nm

Klare Blende

> 95%

Fase

<0,1 ×="" 45="">

Dicke / Durchmesser Toleranz

± 0,05 mm

Maximale Abmessungen

Ø 50 x 100mm

Beschichtungen

AR / AR @ 940 + 1030, HR @ 1030 + HT @ 940 + AR1030;

Materialeigenschaften

Physikalische und chemische Eigenschaften

Art des Materials

Einkristall

Kristallstruktur

Hexagonal, a = b = 3.252 Å,
C = 5,313 Å

Molekulargewicht

81.47

Brechungsindex

N o = 1,3836, n e = 1,3957 @ 0,405 μm

Reflexionsverlust

5,1% bei 4,0 μm; 11,2% bei 0,12 μm

Dichte

5,7 g / cm 3

Schmelzpunkt

1975 ° C

Wärmeleitfähigkeit

6 W / (m · K)

Wärmeausdehnung

∥a: 6,5 · 10 -6 / ° C; ∥C: 3,7 · 10 & supmin; & sup6; / ºC bei 20ºC

Härte (Mohs)

4

Dielektrizitätskonstante

∥C: 4,87; ⊥C: 5,45 bei 95 KHz - 42 MHz

Löslichkeit in Wasser

Nein

Standardprodukt

Orientierung

Endkonfiguration, nm

Dicke, nm

Optische Übertragung

[0 0 0 -1]

5 × 5

0,5

Nein = 1.3836,
Ne = 1.3957

@ 0,405 μm

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

1

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

8 × 8

0,5

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

1

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

10 × 10

0,5

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

1

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

15 × 15

0,5

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

1

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

Dia 25.4

0,5

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

1

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

Dia 50.8

0,5

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

1

[1 0 -1 0]


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